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此處VCC為控制電源電壓，VF1為二極管D1的順方向壓降，Vsat2為IGBT2的飽和壓降

然后，IGBT2被關斷，此時上下橋臂同時處于關斷狀態，電機電流通過FWD1進入續流模式。當VS處電位上升至接近P處電位時C1停止充電。

當IGBT1

處于導通狀態時，由于驅動電路要消耗電流，所以C1上的電壓將從VC1開始逐漸下降。（如

（2）：IGBT2關斷FWD2導通狀態時

當IGBT2關斷FWD2導通時，C1上的充電電壓VC1可通過下式來計算：

VC1=VCC-VF1+VEC2

此處VEC2為FWD2的順方向下壓降,IGBT2和IGBT1都關斷時，通過FWD2保持續流模式。因此，當VS處的電位下降到VEC2時，C1開始充電以恢復其下降的電位。當VS處電位上升至接近P電位水平時，C1停止充電。其后，IGBT1再次導通時，由于驅動電路要消耗電流，C1上的電壓將從VC1(2)電位開始逐漸下降。

四、自舉電容及柵極限流電阻的選取

  自舉電容由一個大電容和一個小電容并聯組成，在頻率為20KHz左右的工作狀態下選用1uF的電容和0.1uF的電容并聯使用。并聯高頻小電容用來吸收高頻毛刺干擾電壓。主電路上管的驅動電壓波形峰頂不應出現下降的現象。驅動大容量的IGBT器件時，在工作頻率較低的情況下要注意自舉電容電壓穩定性問題，故應選用較大容量的電容。

  選擇適當的柵極限流電阻對IGBT驅動來說相當重要，因為IGBT的開通和關斷是通過柵極電路的充放電來實現的，所以柵極電阻將對IGBT的動態特性產生極大的影響。數值較小的柵極電阻使柵極電容的充放電較快，從而減小開關時間和開關損耗。同時較小的柵極電阻增強了IGBT器件的耐固性，避免du/dt帶來的誤導通，但與此同時它只能承受較小的柵極噪聲，并導致柵極-發射極之間的電容同驅動電路引線的寄生電感產生振蕩問題。另外，較小的柵極電阻還使得IGBT開通時di/dt變大，會導致較高的du/dt，增加了反向恢復二級管的浪涌電壓。在低頻應用情況下，開關損耗不成為一個重要的考慮因素，柵極電阻增大可以提供較慢的開通速度，這時應當考慮柵極的瞬態電壓和驅動電流。對于不同容量的IGBT，其柵極限流電阻有不同的取值。一般是功率越大的IGBT的柵極電阻越小，同時對柵極驅動電路的布線也有嚴格要求，引線電感應盡可能小。在實際應用中應根據具體的情況作調整，選取最合適的值。

   采用自舉驅動電路設計IGBT驅動電路時，應根據具體的應用情況采用不同的抗干擾措施。