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(1) 加速管。為了獲得更高的能量(也就是運動速度),哈默納科定位掃描諧波CSF-11-50-2A-R正離子還需要在加速管中的電場下進行加速。
(2) 掃描系統。注入機離子束斑約1~3cm2,需要通過掃描覆蓋整個硅片。可以通過固定硅片,移動束斑,或者相反操作進行掃描。掃描系統有靜電掃描、機械掃描、混合掃描和平行掃描。
(3) 工藝腔。離子束注入在工藝腔中進行。哈默納科定位掃描諧波CSF-11-50-2A-R一般工藝腔包括掃描系統、硅片裝卸終端臺、硅片傳輸系統、檢測系統,以及控制溝道效應的裝置。
離子注入參數主要有劑量和射程。劑量是單位面積硅片注入的離子數,單位是原子每平方厘米(或離子每平方厘米)。射程是離子注入過程中,離子穿入硅片的總距離。注入機的能量越高,哈默納科定位掃描諧波CSF-11-50-2A-R則雜質原子穿入硅片深度越大。